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    影響介質(zhì)損耗因數(shù)測量結(jié)果的因素有哪些?

    發(fā)布日期:2021-04-20 點擊:3392次

    全自動抗干擾介損測試儀介質(zhì)損耗測試儀)是四方國瑞電力產(chǎn)品研發(fā)部參照最新的行業(yè)標準以及電力試驗規(guī)程規(guī)范研發(fā)生產(chǎn)的高精度介質(zhì)損耗測試儀,采用了最新的變頻技術(shù),濾掉了工頻現(xiàn)場產(chǎn)生的干擾,保證儀器在強電場干擾下準確測量,采用了高壓升壓變壓器,完善的過零合閘、防雷擊等安全保護措施,試驗過程中輸出0.5KV~10kV不同等級的高壓,使用過程中操作簡單、安全,適用于發(fā)電廠、變電、互感器制造廠家以及電力檢修部門,  

    相信很多人想了解影響介質(zhì)損耗因數(shù)測量結(jié)果的因素有哪些?下面就為大家一一介紹:  

       

    (1)溫度的影響,溫度對tanδ有直接影響,其程度隨絕緣材料、設(shè)備結(jié)構(gòu)的不同而異,一般情況下,tanδ隨溫度升高而增大,為了便于比較,應將不同溫度下測得的tanδ值換算至20℃,再進行比較,  

       

    油浸式電力變壓器的溫度換算公式為:  

       

    tanδ2=tanδ1×1.3(t1-t2)/10  

       

    式中,tanδ1 、tanδ2分別為t1、t2時的tanδ值,  

       

    由于被試品的真實平均溫度很難測準,對換算結(jié)果的正確性收到影響,因此,應盡可能在10-30℃溫度下進行測量,最好每次在相近溫度下測量,  

       

    受潮的絕緣材料在0℃以下時水分會凍結(jié),tanδ會降低,因此,過低溫度下測得的tanδ不能反映真實的絕緣狀況,故測量tanδ的溫度不應低于5℃,  

       

    (2)試驗電壓的影響,良好絕緣的tanδ不隨電壓的升高而明顯增加,若內(nèi)部有缺陷,則其tanδ將隨試驗電壓的升高而明顯增加,  

       

    (3)Tanδ與試品電容的關(guān)系,對電容量較小的設(shè)備(如套管、互感器、耦合電容器等),測量tanδ能有效地發(fā)現(xiàn)局部集中性和整體分布性的缺陷,但對電容量較大的設(shè)備(如大、中型變壓器等),測量tanδ只能發(fā)現(xiàn)絕緣的整體分布性缺陷,因為局部集中性的缺陷所引起的損壞增加只占總損耗的極小部分,容易被掩蓋,設(shè)備絕緣結(jié)構(gòu)總是由許多部件構(gòu)成并包含多種材料,可以看成是由許多串、并聯(lián)等值回路組成。

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