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直流高壓發(fā)生器特點(diǎn)分析
發(fā)布日期：2019-05-30 點(diǎn)擊：36664次
半導(dǎo)體功率元件正朝著大電流、高電壓、快通斷、功耗小、易保護(hù)、模塊化方向發(fā)展直流高壓發(fā)生器，隨著半導(dǎo)體元件制造工藝的完善和制造技術(shù)的提高?，F(xiàn)已出現(xiàn)了雙極性晶體管GP功率場效應(yīng)管MOSFET功率絕緣柵控雙極性晶體管IGBTIGBT晶體管是集GP與MOSFET二者優(yōu)點(diǎn)于一體的復(fù)合器件，既有MOSFET輸入阻抗高、速度快、開關(guān)損耗小、驅(qū)動(dòng)電路簡單、要求驅(qū)動(dòng)功率小、極限工作溫度高、易驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn)穩(wěn)定運(yùn)行直流高壓發(fā)生器的方法，又具有功率晶體管GP通態(tài)電壓低、耐壓高和電流容量大的優(yōu)點(diǎn)，為電壓控制通斷的自關(guān)斷器件，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十kHz頻率范圍內(nèi)，功率元件IGBT正日益廣泛地應(yīng)用于體積小、噪音低、性能高的變頻電源及大功率的交流伺服電機(jī)的調(diào)速系統(tǒng)中直流高壓發(fā)生器，較高頻率的大、應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位，并已開始在上述領(lǐng)域中取代功率雙極性晶體管GP和功率場效應(yīng)管MOSFET中。與GP和MOSFET一樣，IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問題是驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路，本文根據(jù)在實(shí)際工作中對IGBT應(yīng)用討論有關(guān)IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)問題。
電力電子行業(yè)占據(jù)相當(dāng)大的比重。目前介紹開關(guān)電源電磁兼容的文章很多，小功率反激電源作為市場上最為成熟的電源之一。不過考慮到市場化，小功率反激電源只用一級EMI濾波，無散熱片，還有很重要的一點(diǎn)，要考慮可生產(chǎn)性。這與單純的電磁兼容研究有很大區(qū)別。
一個(gè)是由封裝上表面?zhèn)鞯娇諝庵校呻娐返臒嶙韬途w管的熱阻大至相同、集成電路(IC散熱主要有兩個(gè)方向。另一個(gè)則是由IC向下傳到PCB板上，再由板傳到空氣中。當(dāng)IC以自然對流方式傳熱時(shí)，向上傳的部分很小直流高壓發(fā)生器，而向下傳到板子則占了大部分，以導(dǎo)線腳或是以球連接于板上的方式，其詳細(xì)的散熱模式不盡相同。但這會增加制造成本和復(fù)雜性。封裝熱阻的改善手段主要可透過結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料性質(zhì)改變以及外加散熱增進(jìn)裝置三種方式、其中影響較大的加裝散熱器。
直流高壓發(fā)生器貼片電感具有以下特點(diǎn)：
1、平底表面適合表面貼裝。
2、異的端面強(qiáng)度良好之焊錫性。低阻抗之特點(diǎn)。
3、具有較高Q值。低直電阻直流高壓發(fā)生器在低轉(zhuǎn)速下運(yùn)行時(shí)，
4、低漏磁。耐大電流之特點(diǎn)。便于自動(dòng)化裝配5、可提供編帶包裝。普通功率電感和大電流電感的區(qū)別：另外它還有以下特點(diǎn)大電流電感具備所有SMD功率電感的特點(diǎn)。
直流高壓發(fā)生器電感線圈使用粗痛線和扁平線繞制具有以下特點(diǎn)：
1、耐大電流?？赡痛箅娏?，較高可承受80A 電流具有很好的密封性和高穩(wěn)定性。
2、高穩(wěn)定性、大電流電感采用全封閉磁屏蔽結(jié)構(gòu)。單片機(jī)直流高壓發(fā)生器。
3、適用范圍廣、大電流電感具有超強(qiáng)的耐侯性、可以用于電腦主板、顯卡等這些長時(shí)間工作的設(shè)備上。濾波電路等,而普通的功率電感只能用做DC-DC模塊、盡管所起到作用是一樣的但是大電流電感所承擔(dān)的責(zé)任比普通功率電感要大的多。具有超強(qiáng)的穩(wěn)定性,目前許多電腦主板廠家都在開發(fā)使用大電流電感組列作成的濾波電路。
